manbet手机版我manbet手机版1960年9月11日，我在日本静冈县滨松出生，父亲达治，母亲芳子，和弟弟隆志一起长大。manbet手机版滨松是日本电视发展的先驱高柳贤次郎教授的诞生地，他成功地传播了第一个片假名。manbet手机版イmanbet手机版1926年通过使用布劳恩管进行无线传输，以及1946年创立本田汽车有限公司的本田宗一郎。manbet手机版此外，一些工程和制造公司，如摩托车公司、乐器公司和光电公司，都在滨松设有总部。manbet手机版我之所以考虑从事工程方面的职业，一个可能的原因可能是在这样一个工业城市长大的影响。

manbet手机版我在滨松度过了小学、初中和高中。manbet手机版我是一个身体虚弱的孩子，经常生病。manbet手机版我的祖母Ken一直在照顾我，在这期间她经常给我讲她在二战期间的悲惨经历，所以我学到了很多关于战争的知识。manbet手机版上小学时，我专注于棒球和足球等运动。manbet手机版在小学和初中期间，我不喜欢学习，因为学习的唯一理由似乎是通过高中入学考试。manbet手机版高中时，我的数学老师教了我三年，他教我逻辑思维的重要性以及如何解决数学难题。manbet手机版我发现如果我有逻辑地思考，我可以解决难题。manbet手机版虽然我对解决数学问题非常感兴趣，但我仍然没有学习的理由。

manbet手机版1979年，我来到名古屋，进入名古屋大学电气工程系学习。manbet手机版在工程学入门课上，我听到了对汉字意义的深刻解释manbet手机版工manbet手机版，意思是工程学。manbet手机版讲师解释了“的含义”。manbet手机版工manbet手机版是人与人之间的联系，这意味着工程的最终目的是丰富人们的生活。manbet手机版我被这个解释惊呆了，我觉得我的学习观突然打开了，认识到学习的意义是造福人民。manbet手机版因此，我对系里提供的所有研究领域都很感兴趣，特别是计算机科学。manbet手机版不久之后，比尔·盖茨和保罗·艾伦成立了微软(1975年)，史蒂夫·乔布斯和斯蒂芬·沃兹尼亚克成立了苹果电脑公司(1976年)。manbet手机版在这些现在的巨头公司成立之后，个人计算机(PC)系统的发展迅速，我希望为PC系统的进一步发展做出贡献。

manbet手机版1982年，在我大三的时候，我不得不选择论文的研究题目。manbet手机版不幸的是，没有关于计算机科学的课题，特别是中央处理器的设计。manbet手机版但当我发现gan基蓝色led可以在赤崎勇教授的实验室进行研究时，我决定将这一课题作为我的论文题目。manbet手机版当时，布劳恩管被用作个人电脑的显示器，也被用于电视系统。manbet手机版因为布劳恩管太大了，我想如果我能开发蓝色led，我就能通过提供开发更多智能个人电脑和电视系统的手段来改善人们的生活，从而改变世界。manbet手机版那时，我不知道开发蓝色led会有多么困难。

manbet手机版当时，我们实验室的经费非常有限。manbet手机版因此，名古屋大学的学生必须开发自己的系统，通过金属-有机气相外延(MOVPE)实现氮化物晶体的生长。manbet手机版通过我和我的一个硕士研究生和一个比我高一级的小出先生的努力，我们成功地开发了一个MOVPE系统。manbet手机版然后，我用我们实验室建造的MOVPE系统尝试种植高质量的氮化镓，小出先生则专注于种植氮化镓和氮化镓。manbet手机版然而，在蓝宝石等外来基质上生长GaN非常困难，我花了三年时间徒劳地想要生长出高质量的GaN。

manbet手机版1985年2月，我的硕士课程快结束时，我还在进行着孤独的、没有结果的实验。manbet手机版当我比较我的GaN和小出先生生长的AlN时，我发现他生长的AlN的表面形貌略好于我的GaN，所以我决定在生长GaN之前沉积AlN。manbet手机版我注意到生长AlN需要很高的温度。manbet手机版但是，我们的MOVPE系统的加热系统太老了，无法达到所需的温度。manbet手机版然后我想起了和当时赤崎实验室副教授Sawaki博士的一次讨论。manbet手机版他说，在晶格失配率为16%的Si上生长磷化硼(BP)，与蓝宝石上的GaN几乎相同，P的预沉积对生长表面平坦的BP是有效的。manbet手机版他还提到，在初始阶段，一个P团簇应该作为一个成核中心，导致BP横向生长。manbet手机版我决定在低温下沉积少量的AlN，我预计它将作为成核中心。manbet手机版当我从MOVPE反应堆中取出样品时，我首先想到我忘记提供Ga源了。manbet手机版但当我用光学显微镜检查表面形态时，我终于意识到我已经成功地在原子平面上生长了GaN。 It took almost one year for this result to be published in Applied Physics Letters because I had to check not only the surface morphology but also the crystalline quality, electrical properties and optical properties. I found that all the properties of the GaN film were far superior to those reported previously. This process is called low-temperature deposited buffer layer technology for growing GaN on a sapphire substrate by MOVPE.

manbet手机版我们的下一个挑战是实现p型氮化镓。manbet手机版从1985年到1988年，我试图用锌作为受体掺杂剂生长p型GaN，但没有成功。manbet手机版在我博士实习的NTT，我发现当zn掺杂GaN被电子照射时，蓝色发光不可逆地增加。manbet手机版我称之为低能电子束照射(LEEBI)治疗。manbet手机版然而，即使经过LEEBI处理，锌掺杂样品也没有表现出p型传导。manbet手机版1989年，在完成博士学位之前，我成为了赤崎实验室的一名研究助理。manbet手机版当我阅读J. C. Phillips的《Bonds and Bands in Semiconductors》一书时，我发现Mg在GaP中是比Zn更好的受体杂质。manbet手机版然后，我和我的研究生木藤先生开始研究GaN的Mg掺杂。manbet手机版我们发现生长的mg掺杂GaN表现出很高的电阻率，但经过LEEBI处理后，它表现出明显的p型传导。manbet手机版我们还成功制作了世界上第一个pn结型UV/蓝色LED。 In 1991 Nichia Chemicals team led by Dr. Nakamura found that p-type GaN could be grown by simple thermal annealing, which became the de fact standard method for the growth of p-type GaN.

manbet手机版1992年，我转到明治大学科学技术学院，与赤崎教授一起工作，成为助理教授。manbet手机版1998年和2002年，我分别成为副教授和教授。manbet手机版2010年，我转到名古屋大学工程系，继续担任教授一职。manbet手机版自2011年以来，我一直担任名古屋大学赤崎研究中心主任。

manbet手机版我获得了多项荣誉，如1996年IEEE/LEOS工程成就奖;manbet手机版1998年英国兰克奖基金会兰克奖;manbet手机版2002年获日本丸本研究促进财团丸本学术奖;manbet手机版2002年日本武田财团武田奖;manbet手机版日本

manbet手机版2008年，水晶生长协会JACG奖，日本;manbet手机版2009年，日本国立科学技术政策研究所NISTEP奖;manbet手机版2014年被日本天皇授予文化勋章;manbet手机版2014狗万世界杯年瑞典诺贝尔基金会诺贝尔物理学奖。

manbet手机版自2009年以来，我一直是日本应用物理学会(JSAP)的研究员，自2011年以来，我一直是英国物理研究所(IOP)的研究员。manbet手机版我还是几个学术组织的成员。

manbet手机版选定活动包括2007年化合物半导体国际研讨会项目委员会副主席，2010年第二届氮化物半导体生长国际研讨会项目委员会主席，2012年第三届氮化物半导体生长国际研讨会项目委员会主席，2012年氮化物半导体国际研讨会组委会主席。

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